A fabricante de materiais semicondutores Resonac Holdings tornou-se a primeira empresa no Japão a desenvolver um substrato de carbeto de silício (SiC) de 300 mm, um produto capaz de produzir quatro vezes mais circuitos integrados em comparação com os substratos atuais. A Resonac processou com sucesso um substrato monocristalino de SiC de 300 milímetros — ou 12 polegadas —, que pode produzir quatro vezes mais chips do que os substratos de 150 mm atualmente em uso. Se os substratos maiores se tor
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